半导体激光巴条和单管芯片
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Jenoptik在生产半导体材料时进行严格的质量控制。Jenoptik采用最先进的外延、加工和镜面涂层技术。因此,Jenoptik为高功率二极管激光器提供的激光巴条、半导体巴条、单发射器符合最严格的要求:它们极为可靠、高效和耐用。
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Jenoptik在生产半导体材料时进行严格的质量控制。Jenoptik采用最先进的外延、加工和镜面涂层技术。因此,Jenoptik为高功率二极管激光器提供的激光巴条、半导体巴条、单发射器符合最严格的要求:它们极为可靠、高效和耐用。

采用标准的焊接方法,即可将Jenoptik的半导体产品轻松组装。该材料同时支持锡焊(铟)和硬焊料(金/锡)。Jenoptik向您提供p侧发射器结构分离的标准激光巴条。Jenoptik亦可根据要求,采用低增透膜组装外部谐振器,生产p侧连续金属化的巴条以及经调整的镜面涂层。

技术规格

  • 砷化稼铟半导体
  • 光纤输出功率:6瓦特至200瓦特连续和500瓦特准连续
  • 标准波长:760至1060纳米(其他应要求提供)
  • 填充系数:10%,20%,30%,50%,75%(其他应要求提供)
  • 谐振器长度:0.6毫米,1.0毫米,1.5毫米,2.0毫米,4.0毫米(其他应要求提供)
  • 可选:低增透膜(通常<0.3%)
  • 可选:连续金属化

产品特点

  • 高的光输出功率
  • 高效率
  • 极佳的光束特点
  • 高可靠性
  • 长寿命
波长 nm 填充因子 % 共振长度 mm 功率 W 产品型号
760 30 1.5 40 JDL-BAB-30-19-760-TE-40-1.5
792 30 2 60 JDL-BAB-30-19-792-TE-60-2.0
808 20 1.5 50 JDL-BAB-20-19-808-TE-50-1.5
808 20 2 60 JDL-BAB-20-19-808-TE-60-2.0
808 30 0.6 20 JDL-BAB-30-19-808-TE-20-0.6
808 30 1 40 JDL-BAB-30-19-808-TE-40-1.0
808 30 1.5 50 JDL-BAB-30-19-808-TE-50-1.5
808 30 2 60 JDL-BAB-30-19-808-TE-60-2.0
808 50 1 40 JDL-BAB-50-47-808-TE-40-1.0
808 50 1.5 60 JDL-BAB-50-47-808-TE-60-1.5
808 50 2 80 JDL-BAB-50-47-808-TE-80-2.0
808 75 1.5 300 JDL-BAB-75-62-808-TE-300-1.5
808 4 8 JDL-BAE-200-808-TM-8-4.0
880 50 2 100 JDL-BAB-50-47-880-TE-100-2.0
915 20 1.5 60 JDL-BAB-20-19-915-TE-60-1.5
915 20 2 80 JDL-BAB-20-19-915-TE-80-2.0
915 30 1 40 JDL-BAB-30-19-915-TE-40-1.0
915 30 2 80 JDL-BAB-30-19-915-TE-80-2.0
940 20 1.5 60 JDL-BAB-20-19-940-TE-60-1.5
940 20 2 80 JDL-BAB-20-19-940-TE-80-2.0
940 30 1.5 60 JDL-BAB-30-19-940-TE-60-1.5
940 30 2 80 JDL-BAB-30-19-940-TE-80-2.0
940 50 1.5 80 JDL-BAB-50-47-940-TE-80-1.5
940 50 2 120 JDL-BAB-50-47-940-TE-120-2.0
940 50 3.5 160 JDL-BAB-50-47-940-TE-160-3.5
940 75 1.5 300 JDL-BAB-75-37-940-TE-300-1.5
976 20 1.5 60 JDL-BAB-20-19-976-TE-60-1.5
976 20 2 80 JDL-BAB-20-19-976-TE-80-2.0
976 30 1.5 60 JDL-BAB-30-19-976-TE-60-1.5
976 30 2 80 JDL-BAB-30-19-976-TE-80-2.0
976 50 1.5 80 JDL-BAB-50-47-976-TE-80-1.5
976 50 2 120 JDL-BAB-50-47-976-TE-120-2.0
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