PICOPROBE® MODEL 18C 和 MODEL 19C 高阻抗探头将最先进的 MOS 和双极技术与特殊的低电容封装技术相结合，实现了真正卓越的电子测量功能。在制造过程中，每台仪器都经过单独优化，以获得最佳性能。极低的输入电容、高输入阻抗以及几乎可以忽略不计的输入漏电流允许直接探测最敏感的MOS动态节点。同时，该 Picoprobe 的全直流能力与高速能力相结合，可以对电路进行全面表征。

        10微米的钨丝可以探测到最细的线，细探针线在与电路接触时会弯曲，从而最大限度地减少对电路和探针点的损坏。此外，即使在探头工作台振动的情况下，弯曲也会保持探头点与电路的接触。18C 型和 19C 型探头尖端还提供 20 微米和 50 微米的钨丝，分别锐化到 1 微米和 3 微米以下。

        位于 18C 型和 19C 型 Picoprobe® 主体中的电路非常坚固，但每个探头尖端中未受保护的MOS输入会受到静电放电的破坏。如果探头尖端损坏，可以很容易地将其拆卸和更换。